在半导体的SICJFET中（ON）*性能特别适用于需要高电流处理能力和低速运动的应用，例如固态断路器和高电流传输系统。得益于硅卡尔巴硅的出色材料特性以及JFET的出色结构，耐药性和更好的热性能，非常适合将许多设备连接到有效管理高电流载荷的应用。本文指出：Siccombojfet的技术概述，用于需要普通设备的应用，低压硅（SI）MOSFET可以与标准的开放式硅Carba（SIC）JFET一起使用以创建cascode结构。在此设置中，SICJFET负责处理高压，而MOSFET则提供恒定功能。这种组合利用了SIC JFET的高性能和MOSFET的易于控制。在半组合中，JFET包括SIC JFET和一个包装中的低压MOSFET，在满足小尺寸要求的同时，它提供了恒定的性能属性。此外，通过各种栅极驱动器调整，组合JFET还提供了诸如GATE驱动器兼容性，更高的可靠性和使用具有5V阈值的硅设备的简化速度控制。组合JFET产品的描述包括包装中的SIC JFET和低压MOSFET，SIC JFET的门和低压MOSFET都可以使用。图1组合JFET组合JFET结构具有许多优势，因为JFET和低压MOSFET门都可以使用。这些优点包括超速驾驶时的RDS（ON）减少，通过外部cascode来简化栅极驱动电路，通过JFET门的电阻调节移动速度，并通过测量栅极源电压的塌陷来监视JFET连接温度。在半SIC组合JFET产品家庭表1和图2中显示组合JFET产品和Avai可容纳包。表1组合产品列表图2组合JFET包装和半符合条件JFET设备功能和优势中的表2特征和优势的摘要，表2的表2的表2 of SiC Combo JFET设备和优势表2 Semi SiC Combo Combo JFET设备功能和优势2 SEM SIC组合JFET JFET设备功能和SEMI的按表2组合JFET产品清单列出的静态特征清单包括RDS（ON），峰值电流（iDM）和RθJC（从节点到节点到节点到节点的电路至电路保护和多种效率的应用程序，DV/DT Control，DV/DT CONTERY的设备很重要。一个示例，检查其静态和动态属性。在市场上。半组合JFET的半组合JFET主参数中的表3具有低RDS（ON），高IDM和低热电阻性能。低RD（ON）：ON半组合JFET设备使用SIC JFET技术，RDS（每个单位区域大大降低（RDS∙A）。该设备使用灵活的，可外部可配置的cascode结构（SIC Combo-Fet）使用，以实现SEMI SIC Combo jfet Seguts nict and SiC Combo jfet SII（SIC Combo-fet）。 JFET：在Semi的SIC组合中，JFET使用银色烧结的模具固定技术，与大多数焊接材料相比，将导热率的接口提高了六倍，达到相同甚至较低的连接会在以下优势中获得相同甚至较低的连接。降低电压超过的电压过冲，以减少关闭的速度，尤其是电路，尤其是电路，电路转移等等。申请n测试硅杆的温度。此外，与当今已广泛使用的Dead-Attach（焊接模具）的焊料相比，使用了Die-Attach的模具结构技术，这进一步提高了可靠性。固态断路器的门组合JFET的方法具有两种基本控制方法：准cascode驱动模式和直接驱动模式。图5组合JFET驱动模式：用于高功率开关模式应用程序应用程序的准cascode驱动模式（左）和直接驱动模式（右）应用程序，除了图3所示的上两个控制方法外，我们还开发并建议使用夹具。或使用最简单的门控制方法使用单个JFET门电阻来调整运动速度，请参见图4。图6在开关模式应用程序中使用组合JFET的控制方法（左：一致的JFET GATE Risistor，右：Clampdrive）在半SIC组合JFET上结论具有超低的RD（ON）和受控的移动速度，可实现出色的电效率和电力密度断路器和低速开关应用程序的TY。它还具有与硅设备相当的功率周期性能（可靠性和使用寿命），该设备比SIC MOSFET高2倍以上。 （带有-set：在半半）
