根据Kuai Technology 5月8日，Neo Semiconductor最近宣布推出了两个新的3D X -DRAM -DRAM -1T1C和3T0C的细胞设计，这预计将完全改变当前的鼓记忆情况。使用单个晶体管单个电容器和三重晶体管零电容器架构的两种设计预计将在2026年产生概念验证测试芯片，并且将提供比当前普通DRAM模块的10倍。根据NEO的3D X-DRAM技术，新设计的内存单元可以在单个模块中容纳512GB（64GB）的容量，该模块的容量至少是任何市场模块的至少10倍。在NEO的测试模拟中，这些单元读取并写下了10纳秒的速度，并且维护时间超过9分钟。这两个性能指标都领先于当前功能。新设计使用基于3D NAND的NAND构建二氧化锌锌（IGZO）的材料，1T1C和3T0C单元的堆叠设计可以改善oves的容量和吞吐量，同时保持节能。 “随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们重新定义了内存技术的可能性。这种创新破坏了今天鼓的范围，使下一代记忆的领导者成为了下一代记忆的领导者，” Neo Semiconductor的首席执行官Andy Hsu说。 NEO半导体计划在IEEE国际记忆研讨会上与1T1C，3T0C和其他3D X-DRAM和3D家庭产品共享其他信息。 [本文的结尾]如果您需要重新打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：黑色和白色
